應用方案
光伏應用方案
在 DC/AC 逆變 階段，長芯提供 4 種拓撲結構的解決方案，包括兩電平、三電平 NPC1、三電平 NPC2 和三電平ANPC，三電平拓撲因其效率更高而逐步成為產業趨勢；
對于1000V 光伏陣列系統，主要采用三電平 NPC1 或 NPC2 拓撲：
三電平 NPC1 可使用 650V 功率器件，可工作在 超過20Khz 的開關頻率下；
三電平 NPC2 需同時使用 650V 和 1200V 功率器件，適合于器件工作在小于 20Khz 的開關頻率下；
在1500V 光伏系統中，三電平 ANPC 因較高可靠性和在全功率因數運行范圍內均有較高的效率；
單相組串式逆變器單管方案
| Topo | 產品 | Part number | Package | Technical specification |
| DC-C | 高頻IGBT單管 | FGWB40N65G7 | TO247 3-pin | 650 V (VCE), 40 A (ICV), 1.35 V (VCE(sat), TVJ=25°C), 175°C (TVJmax) |
| FGWB50N65G7 | TO247 4-pin | 650 V (VCE), 50 A (IC), 1.35 V (VCE(sat), TVJ=25°C), 175°C (TVJmax) | ||
| FGWC75N65G7 | TO247 4-pin | 650 V (VCE), 75 A (IC), 1.1 V (VCE(sat), TVJ=25°C), 175°C (TVJmax) | ||
| FGWB50N65G7 | TO247 3-pin | 650 V (VCE), 50 A (IC), 1.35 V (VCE(sat), TVJ=25°C), 175°C (TVJmax) | ||
| SJMOS單管 | FSWB65R029T3 | TO247 3-pin | 650 V (VDS max.), 29 mΩ (RDS(on)max.) | |
| FSWB65R018T3 | TO247 4-pin | 650 V (VDS max.), 18 mΩ (RDS(on)max.) | ||
| FSWB65R018T3 | TO247 3-pin | 650 V (VDS max.), 18 mΩ (RDS(on)max.) | ||
| FSWBC65R041T3 | TO247 3-pin | 650 V (VDS max.), 41 mΩ (RDS(on)max.) | ||
| SiC單管 | FCDB65R027T3 | FD2PAK 7-pin | 650 V (VDS max.), 27 mΩ (RDS(on)max.) | |
| FCDB65R048T3 | FD2PAK 7-pin | 650 V (VDS max.), 48 mΩ (RDS(on)max.) |
對于單相組串式逆變器 DC/AC 逆變階段，主要采取分立器件方案。目前主要是4 種拓撲結構的方案，包括傳統的兩電平拓撲和近年的HERIC、 H6 和多電平拓撲，其效率更高、系統成本更低、尺寸小巧和輕便性而被應用；（傳統的兩電平應效率較低，多電平應設計器件太多，對控制設計要求太高）
通常單相組串式逆變器連接到 600V 光伏陣列采用 HERIC 和 H6 拓撲結構。逆變器需要更高的開關操作以減小系統的尺寸和成本。
逆變器功率低于 250kW 時，選用 62FM 模塊產 品；
當功率低于 500kW 時，選用 EFD3 模塊；
當功率達到 800kW 時，選用 PP3 3 模塊；
當功率超過 1000kW 時，選用 PP3 3+模塊。
350kW光伏逆變器方案
| 階段 | 開關頻率 | 器件 | 型號 | 數量 |
| DC-DC | up to 30 kHz | 升壓斬波SiC模組 | DFM4-19MR120W3G7 | 3 |
| DC-C | up to30 kHz | 3L模組 ，Easy 3B, ANPC | FM3L600R10W4G7H | 3 |
| 逆變 | ||||
| 輔助電源 | - | 單管1.7 kV SiC MOS | FCWB170R450F2 | 3 |
全SiC模組 +G7芯片高頻IGBT三電平ANPC模組，實現最高能量密度的逆變功能
上一篇： 中高壓變頻器應用方案
下一篇： 充電樁應用方案
相關資訊
- 上海工研院2024年硅光...04/03
- 美國向SK Siltro...04/03
- 激光切割SiC單晶技術04/03
- ROHM-SiC04/03
聯系我們
郵箱：sales@foreverchip.com.cn
地址：南京市溧水經濟開發區福田路1號匯智產業園科創大廈A座116室
qq